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参数目录39429
> NE85633-R25-A TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
型号:
NE85633-R25-A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE85633-R25-A PDF
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
频率 - 转换
7GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益
9dB
功率 - 最大
200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23
包装
散装
查看NE85633-R25-A代理商
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